随着 3.2T 光模块、量子光芯片等下一代技术加速迭代，硅光集成等技术已成为光通信领域不可逆的主线。日前，2026 九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会于中国光谷科技会展中心开幕，本届展会除化合物半导体的赛道外，光模块与光通信产业成为全场另一大核心主线，产业链上下游企业集中亮相，全面展现了国产光通信产业的突破与国产化进程。
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上游核心：关键材料与高端测试设备
光模块的性能升级与规模化量产，高度依赖上游核心材料与高端测试设备的底层支撑，本届展会集中呈现了国产厂商在这一领域的关键突破。
在核心材料层面，磷化铟（InP）衬底是高速光芯片的核心衬底材料，主要用于制备边发射激光器芯片（如 DFB、EML）与探测器芯片（如 PIN、APD），是实现光信号发射与接收的核心载体，更是 800G、1.6T 及以上超高速光模块不可或缺的基础材料。随着 AI 数据中心向 800G/1.6T 光模块加速升级，全球磷化铟衬底需求呈指数级增长，供需缺口持续扩大。
本届展会上，云南锗业展出了其6英寸磷化铟单晶片等产品。目前，其已实现大尺寸、低缺陷密度、高平整度、超高洁净表面磷化铟单晶片的规模化生产，可全面保障国内光通讯头部企业在 5G 基站、数据中心、AI 算力中心等信息基建项目的建设需求；同时在现有年产 15 万片产能的基础上，正推进扩产至年产 45 万片的产能规划。
随着 AI 超节点/集群规模的快速增长，单个光模块的故障/失效将被指数级放大，影响智算系统/集群网络的可用性、稳定性，光模块测试从"生产质量保证"升级为"网络关键保障"。单一模块的故障/失效影响在万卡以上的集群规模中被指数级放大。光模块全流程开发与测试能力逼近瓶颈，高端仪器成为产业演进的关键保障。
万里眼在本届展会上发布了 65GHz 带宽的 SpWave PS 系列光采样示波器，实现三大核心技术突破，进一步完善了国产高端光电测试仪器产品矩阵。
其一，测试效率实现跨越式提升，凭借业界领先的 500kHz 采样率，测试效率较传统方案提升 100%，可大幅缩短产品生产周期，助力客户提升光模块量产能力；
其二，带宽性能实现代际升级，65GHz 超高带宽可完美支持单通道 200G 测量，为 1.6T 光通信产业发展筑牢技术底座，同时模块化架构可支持未来向更高速率演进，保障客户长期投资价值；
其三，测量精度达到行业领先水平，可实现低至 12μW（典型值）的超低底噪，能够精准捕捉微弱光信号，为产品高质量生产与交付提供支撑。该系列产品支持高达 120GBaud 信号速率，ADC 分辨率达 16bit，可充分满足企业与科研机构的 1.6T/800G 光模块研发与测试需求，同时作为严格校准的接收机，可保障测试结果完全符合行业标准。
这也是万里眼继 2025 年 10 月发布 90GHz 超高速实时示波器后，在高速光电测试领域的又一关键突破。现场工作人员介绍，长期以来，该赛道的全球市场龙头为是德科技。此前泰克、力科等国际测试测量巨头也曾布局相关产品，但受限于早期光模块行业规模有限，光采样示波器细分市场体量偏小，上述企业逐步裁撤了相关业务线。近年来，随着高速光模块市场迎来爆发式增长，光采样示波器的市场需求快速拉升。
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中游制造：硅光代工与中试平台
全球前十大光模块厂家中，有七家为国内企业，但国内长期缺乏成熟的硅光芯片量产制造线，导致多数企业依赖国外代工，供应链安全风险突出。本届展会清晰展现，国内企业正加速填补这一产业空白，从规模化量产线到研发中试平台，国产硅光制造能力逐渐实现突破。
苏州星钥光子科技有限公司由长光华芯、亨通光电、东辉光学等行业龙头企业于 2025 年 5 月联合发起设立，是中国首家专业硅光集成芯片量产工厂（Foundry）。作为本届展会参展商之一，星钥光子将建设以8英寸90nm制程为基础的硅光产线和异质异构集成平台，为国内激光器、硅光芯片、电芯片等企业搭建协同创新平台与产业链，推动上下游协同发展，全面服务光通信、光互联、光传感、光显示、光计算等前沿领域和市场。一期项目已于2026年3月建成，计划2027年初投产，2029年达到盈亏平衡，并将在2030年项目达成时，形成60000片/年的产能。项目总投资50亿元，一期投资12亿元，计划于2026年底完成通线。
除规模化量产线外，国内光子芯片研发中试能力也实现了关键落地。上海交通大学无锡光子芯片研究院（CHIPX）由上海交通大学、无锡滨湖区、蠡园经济开发区三方共建，是企业化运营的新型研发机构，已建成国内首条光子芯片中试线。研究院聚焦芯、光、智、算领域的成果转化与创业孵化，构建了 “研究院 + 孵化 + 基金” 三位一体的工研院模式，致力于打造全球领先的光子芯片产业高地。目前，研究院拥有 17000㎡研发中试面积、110 余台 CMOS 工艺设备，组建了 35 人以上的科研专家团队与 200 人以上的工艺研发团队，可提供 110nm 工艺制程及 6/8 英寸全流程流片服务，同时可开展单步工艺与定制工艺的技术开发与验证工作。
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下游终端：光模块产品与核心光芯片器件
作为产业链的核心终端环节，国产厂商在超高速光模块、核心光芯片领域实现多点突破，多款面向下一代技术的产品集中亮相，全面展现了国产光通信产业的终端竞争力。
在光模块整机领域，华工正源拥有光通信行业领先的一站式垂直集成解决方案，具备从芯片到器件、模块、子系统全系列产品的研发与规模化量产能力，产品覆盖超高速光模块、铜连接模块、智能车载光、卫星通讯光模块等多个领域，广泛应用于 AI 算力、全球无线通信等核心场景。本届展会，华工正源集中展示了多款前沿产品与解决方案，包括面向 CPO/OCI-MSA 应用的量子点光频梳外置光源、面向 3.2T CPO 应用的密集波分复用外置激光源 (ELSFP)、6.4T NPO 光模块、100G 星载光模块等。
其中，面向 3.2T CPO 应用的密集波分复用外置激光源 (ELSFP) 基于全球领先的硅光 (SiPh) 平台，集成量子点光频梳激光芯片，是专为 3.2T CPO 架构打造的高性能外置光源 (ELS)。该模块工作于 O 波段，支持 100GHz 及 200GHz 信道间隔，兼容 OCI-MSA 和 CW-WDM MSA 协议，可与共封装光学及高密度波分系统实现无缝适配；凭借领先的芯片集成工艺与功耗优化技术，在实现多波长并行输出的同时，将整机功耗降至 5.5W 以下。而 100G 星载光模块专为星内多通道超宽带数据通信打造，支持 100G 以太网传输，采用 850nm 波长，可在-40℃~85℃宽温环境下稳定工作，具备低延时、低功耗、小体积、轻量化、抗干扰能力强、发射成本低等优势。其6.4 T的NPO模块，单个port口32通道，单通道200G，总共16个port口。
此外，据工作人员透露，公司正在开发CPO产品，产品的光引擎（OE）配合外置激光光源，其前面板类似交换机可直接插拔替换。相较于传统CPO，外置光源的优势是维护成本低，光源坏了直接拔掉更换即可，避免集成式光源损坏导致整个单板报废。
OEM/ODM/JDM 一站式服务商 mentech，在本届展会上展示了通信领域全场景定制化解决方案，可提供面向国内外运营商的 JDM 服务、面向分销商的 ODM 服务，以及面向品牌商的 OEM 服务。工作人员透露，2026年Q3将推出3.2T的NPO光模块和800G DR8 LPO光模块。
在核心光芯片领域，国产厂商也实现了关键技术突围。垂直腔面发射激光器（VCSEL）作为半导体激光器的核心品类，激光发射方向垂直于芯片表面，与传统边发射激光器（EEL）沿芯片边缘发射的技术路径不同，具备低阈值电流、圆形光斑、光束质量好、易于二维阵列集成、调制速率高、测试成本低等显著优势，是数据中心短距离光互连的核心器件。
国产高速 VCSEL 芯片领跑者华芯半导体，累计交付在网运行芯片超 7000 万颗，本届展会带来了两款核心产品：
一款是850nm 1*4 112G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光输出，可实现 112Gbit/s PAM4 调制速率；另一款是850nm 1*4 56G VCSEL芯片，支持 850nm 多模激光输出，可实现 56Gbit/s PAM4 调制速率，该产品已累计交付15kk+通道。
海思则在本届展会上展出了全系列联接/计算光芯片产品，包括
相干DBR，窄线宽可调，单芯片C+L，240波可调，50kHz线宽；高速EML/PD，有400/200/100/50Gbps等规格，带宽超 110GHz，RIN 值低于-152dB/Hz；CW光源，有400/200/100/80mW等规格，制冷功率超 400mW，非制冷功率超 200mW，具备高功率，高可靠性的优势。
整体来看，从上游核心材料、高端测试设备，到中游硅光代工制造平台，再到下游光模块整机与核心光芯片，国产光模块产业链已实现全链条多点突破。而硅光集成技术的加速落地与国产化的持续深化，也将为我国光通信产业在全球下一代技术竞争中，筑牢长期发展的核心竞争力。